LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M30065B

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Технология: SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650 V
Drain current: 64 A
Pulsed drain current: 212 A

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	LGE3M30065B
Производитель	LUGUANG ELECTRONIC
Type of transistor	N-MOSFET
Технология	SiC
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	650 V
Drain current	64 A
Pulsed drain current	212 A
Power dissipation	326 W
Корпус	TO247-3
Gate-source voltage	-5...20 V
On-state resistance	55 mΩ
Монтаж	THT — в отверстия
Gate charge	147nC
Kind of package	tube
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 64A; Idm: 212A; 326W

Документация

Документ производителя