Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M28065Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
650V
Drain current
67A
Pulsed drain current
211A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M28065Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage650V
Drain current67A
Pulsed drain current211A
Power dissipation326W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18V
On-state resistance39mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge163nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 67A; Idm: 211A; 326W

Документация

Документ производителя