Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M1K170B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Technology
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.7kV
Drain current
3.5A
Pulsed drain current
6A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M1K170B
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
TechnologySiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.7kV
Drain current3.5A
Pulsed drain current6A
Power dissipation69W
КорпусTO247-3
Gate-source voltage-5...20V
On-state resistance1.5Ω
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge21.8nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 3.5A; Idm: 6A; 69W

Документация

Документ производителя