Антава

LUGUANG ELECTRONIC

Транзистор LGE3M14120Q

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Технология
SiC
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
1.2 kV
Drain current
108 A
Pulsed drain current
340 A
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяLGE3M14120Q
ПроизводительLUGUANG ELECTRONIC
Type of transistorN-MOSFET
ТехнологияSiC
Polarisationunipolar
Drain-source voltage1.2 kV
Drain current108 A
Pulsed drain current340 A
Power dissipation625 W
КорпусTO247-4
Gate-source voltage-4...18 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge230nC
Kind of packagetube
Kind of channelenhancement
Features of semiconductor devicesKelvin terminal
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 108A; Idm: 340A; 625W

Документация

Документ производителя