LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGE2305
Фото недоступно- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20V
- Drain current
- -4.1A
- Power dissipation
- 1.7W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | LGE2305 |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20V |
| Drain current | -4.1A |
| Power dissipation | 1.7W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±8V |
| On-state resistance | 75mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 7.8nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.1A; 1.7W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.