LUGUANG ELECTRONIC
Транзистор LGE2301
- Type of transistor
- P-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- -20 V
- Drain current
- -3 A
- Power dissipation
- 1 W
- Корпус
- SOT23
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | LGE2301 |
|---|---|
| Производитель | LUGUANG ELECTRONIC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | -20 V |
| Drain current | -3 A |
| Power dissipation | 1 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±12 V |
| On-state resistance | 0.14 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 12nC |
| Kind of package | reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; 1W; SOT23
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.