Антава

MICROCHIP

Диод JANTXV1N5809US/TR

Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
0.1 kV
Load current
6 A
Reverse recovery time
30ns
Ёмкость
60 pF

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяJANTXV1N5809US/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage0.1 kV
Load current6 A
Reverse recovery time30ns
Ёмкость60 pF
КорпусMELF
Max. forward voltage0.875 V
Max. forward impulse current125 A
Leakage current5 µA
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ifsm: 125A

Документация

Документы пока не предоставлены.