MICROCHIP

Диод JANTXV1N5809US

MELFИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 0.1 kV
Load current: 6 A
Reverse recovery time: 30ns
Ёмкость: 60 pF

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	JANTXV1N5809US
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	0.1 kV
Load current	6 A
Reverse recovery time	30ns
Ёмкость	60 pF
Корпус	MELF
Max. forward voltage	0.875 V
Max. load current	6 A
Max. forward impulse current	125 A
Leakage current	5 µA

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 100V; 6A; 30ns; MELF; Ufmax: 875mV; Ifsm: 125A

Документация

Документы пока не предоставлены.