MICROCHIP
Диод JANTX1N6474US/TR
G-MELFИзображение корпуса
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1.5 kW
- Max. off-state voltage
- 30.5 V
- Breakdown voltage
- 33 V
- Semiconductor structure
- unidirectional
- Корпус
- G-MELF
Добавим фотографию после подтверждения источника.
Цена и предложение
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | JANTX1N6474US/TR |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1.5 kW |
| Max. off-state voltage | 30.5 V |
| Breakdown voltage | 33 V |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | G-MELF |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | reel, tape |
| Рабочая температура | -55...175 °C |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1.5kW; 33V; Ch: 1; reel,tape; -55÷175°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.