Антава

MICROCHIP

Диод JANPTX1N5632AUG

JANPTX1N5632AUG
Type of diode
TVS
Peak pulse power dissipation
1.5 kW
Max. off-state voltage
7.78 V
Breakdown voltage
8.65 V
Semiconductor structure
unidirectional
Корпус
DO214AB, SMC
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяJANPTX1N5632AUG
ПроизводительMICROCHIP
Type of diodeTVS
Peak pulse power dissipation1.5 kW
Max. off-state voltage7.78 V
Breakdown voltage8.65 V
Semiconductor structureunidirectional
КорпусDO214AB, SMC
МонтажSMD — поверхностный
Number of channels1
Рабочая температура-65...150 °C
Исходное описание поставщика

Diode: TVS; 1.5kW; 8.65V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1

Документация

Документы пока не предоставлены.