MICROCHIP

Диод JAN1N6620US/TR

MELFИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 200 V
Load current: 2 A
Reverse recovery time: 30ns
Ёмкость: 10 pF

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	JAN1N6620US/TR
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	200 V
Load current	2 A
Reverse recovery time	30ns
Ёмкость	10 pF
Корпус	MELF
Max. forward voltage	1.6 V
Max. forward impulse current	20 A
Leakage current	0.5 µA
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 200V; 2A; 30ns; MELF; Ufmax: 1.6V; Ifsm: 20A

Документация

Документы пока не предоставлены.