MICROCHIP
Диод JAN1N6471US
Фото уточняется
- Type of diode
- TVS
- Peak pulse power dissipation
- 1.5 kW
- Max. off-state voltage
- 12 V
- Breakdown voltage
- 13.6 V
- Max. forward impulse current
- 374 A
- Semiconductor structure
- unidirectional
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеНаличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.
Характеристики
| Артикул производителя | JAN1N6471US |
|---|---|
| Производитель | MICROCHIP |
| Type of diode | TVS |
| Peak pulse power dissipation | 1.5 kW |
| Max. off-state voltage | 12 V |
| Breakdown voltage | 13.6 V |
| Max. forward impulse current | 374 A |
| Semiconductor structure | unidirectional |
| Корпус | G-MELF |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Leakage current | 20 µA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Diode: TVS; 1.5kW; 13.6V; 374A; unidirectional; G-MELF; -55÷175°C
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.