Антава

MICROCHIP

Диод JAN1N5802US/TR

Фото уточняется
Type of diode
rectifying
Монтаж
SMD — поверхностный
Max. off-state voltage
50 V
Load current
2.5 A
Reverse recovery time
25ns
Ёмкость
25 pF
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяJAN1N5802US/TR
ПроизводительMICROCHIP
Type of dioderectifying
МонтажSMD — поверхностный
Max. off-state voltage50 V
Load current2.5 A
Reverse recovery time25ns
Ёмкость25 pF
КорпусMELF
Max. forward voltage0.975 V
Max. forward impulse current35 A
Leakage current1 µA
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 50V; 2.5A; 25ns; MELF; Ufmax: 975mV; Ifsm: 35A

Документация

Документы пока не предоставлены.