MICROCHIP

Диод JAN1N5615US

MELFИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 200 V
Load current: 1 A
Reverse recovery time: 150ns
Semiconductor structure: single diode

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	JAN1N5615US
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	200 V
Load current	1 A
Reverse recovery time	150ns
Semiconductor structure	single diode
Корпус	MELF
Max. forward voltage	0.8 V
Max. load current	1 A
Max. forward impulse current	25 A
Leakage current	0.5 mA

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 150ns; MELF; Ufmax: 800mV; Ifsm: 25A

Документация

Документы пока не предоставлены.