MICROCHIP

Диод JAN1N5553US/TR

MELFИзображение корпуса

Type of diode: rectifying
Монтаж: SMD — поверхностный
Max. off-state voltage: 0.8 kV
Load current: 5 A
Reverse recovery time: 2µs
Корпус: MELF

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	JAN1N5553US/TR
Производитель	MICROCHIP
Type of diode	rectifying
Монтаж	SMD — поверхностный
Max. off-state voltage	0.8 kV
Load current	5 A
Reverse recovery time	2µs
Корпус	MELF
Max. forward voltage	1.3 V
Max. forward impulse current	100 A
Leakage current	1 µA
Kind of package	reel, tape

Исходное описание поставщика

Diode: rectifying; SMD; 800V; 5A; 2us; MELF; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 100A

Документация

Документы пока не предоставлены.