ONSEMI
Транзистор J111
- Type of transistor
- N-JFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain current
- 20 mA
- Рассеиваемая мощность
- 0.625 W
- Корпус
- TO92
- Gate-source voltage
- -35 V
Фото справочное.
Цена и предложение
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 55 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%81,15 ₽
Сумма · с НДС 22%81,15 ₽
Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 81,15 ₽ | |
| от 5 | 60,23 ₽ | |
| от 10 | 50,49 ₽ | |
| от 50 | 34,44 ₽ | |
| от 100 | 30,12 ₽ | |
| от 250 | 26,33 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | J111 |
|---|---|
| Производитель | ONSEMI |
| Type of transistor | N-JFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 20 mA |
| Рассеиваемая мощность | 0.625 W |
| Корпус | TO92 |
| Gate-source voltage | -35 V |
| On-state resistance | 30 Ω |
| Монтаж | THT — в отверстия |
| Kind of package | bulk |
| Gate current | 50 mA |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-JFET; unipolar; 20mA; 0.625W; TO92; Igt: 50mA
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.