Антава

IXYS

Транзистор IXYY8N90C3-TRL

IXYY8N90C3-TRL
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
20 A
Power dissipation
125 W
Корпус
DPAK
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYY8N90C3-TRL
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage900 V
Collector current20 A
Power dissipation125 W
КорпусDPAK
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current48 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge13.3nC
Kind of packagereel, tape
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 900V; 20A; 125W; DPAK

Документация

Документы пока не предоставлены.