Антава

IXYS

Транзистор IXYX30N170CV1

IXYX30N170CV1
Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
1.7 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
937 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYX30N170CV1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage1.7 kV
Collector current30 A
Power dissipation937 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current250 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge150nC
Kind of packagetube
Turn-on time49ns
Turn-off time327ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 1.7kV; 30A; 937W; PLUS247™

Документация

Документ производителя