Антава

IXYS

Транзистор IXYX200N65B3

IXYX200N65B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
200 A
Power dissipation
1.56 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYX200N65B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current200 A
Power dissipation1.56 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current1.1kA
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge340nC
Kind of packagetube
Turn-on time170ns
Turn-off time700ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 200A; 1.56kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя