IXYS

Транзистор IXYX110N120A4

TO247-3Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 110 A
Power dissipation: 1.36 kW
Корпус: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXYX110N120A4
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	110 A
Power dissipation	1.36 kW
Корпус	TO247-3
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	900 A
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of package	tube
Turn-off time	550ns

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 110A; 1.36kW; TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.