Антава

IXYS

Транзистор IXYX100N65B3D1

IXYX100N65B3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
100 A
Power dissipation
830 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYX100N65B3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current100 A
Power dissipation830 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current460 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge168nC
Kind of packagetube
Turn-on time65ns
Turn-off time358ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 100A; 830W; PLUS247™

Документация

Документ производителя