Антава

IXYS

Транзистор IXYX100N120B3

IXYX100N120B3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
100 A
Power dissipation
1.15 kW
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYX100N120B3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current100 A
Power dissipation1.15 kW
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current530 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge250nC
Kind of packagetube
Turn-on time125ns
Turn-off time450ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; PLUS247™

Документация

Документ производителя