Антава

IXYS

Транзистор IXYT90N65A5HV

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
90 A
Рассеиваемая мощность
650 W
Корпус
TO268HV
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYT90N65A5HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage650 V
Collector current90 A
Рассеиваемая мощность650 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current600 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 90A; 650W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.