Антава

IXYS

Транзистор IXYT85N120A4HV

Фото уточняется
Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
300 A
Power dissipation
1.15 kW
Корпус
TO268HV
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYT85N120A4HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current300 A
Power dissipation1.15 kW
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current520 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge200nC
Kind of packagetube
Turn-off time0.4µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 300A; 1.15kW; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.