IXYS

Транзистор IXYT40N120A4HV

TO268HVИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2 kV
Collector current: 140 A
Рассеиваемая мощность: 600 W
Корпус: TO268HV
Pulsed collector current: 275 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXYT40N120A4HV
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	1.2 kV
Collector current	140 A
Рассеиваемая мощность	600 W
Корпус	TO268HV
Pulsed collector current	275 A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	90nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 140A; 600W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.