IXYS

Транзистор IXYT30N65C3H1HV

Фото уточняется

Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Корпус: TO268HV

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXYT30N65C3H1HV
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Technology	GenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage	650V
Collector current	30A
Power dissipation	270W
Корпус	TO268HV
Gate-emitter voltage	±20V
Pulsed collector current	118A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	44nC
Kind of package	tube
Turn-on time	59ns
Turn-off time	0.12µs

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO268HV

Документация

Документ производителя