Антава

IXYS

Транзистор IXYT20N120C3D1HV

IXYT20N120C3D1HV
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
17 A
Рассеиваемая мощность
230 W
Корпус
TO268HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYT20N120C3D1HV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current17 A
Рассеиваемая мощность230 W
КорпусTO268HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current88 A
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Turn-on time60ns
Turn-off time0.22µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 17A; 230W; TO268HV

Документация

Документ производителя