IXYS

Транзистор IXYT12N250CV1HV

TO268HVИзображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 2.5 kV
Collector current: 28 A
Рассеиваемая мощность: 310 W
Корпус: TO268HV
Pulsed collector current: 80 A

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXYT12N250CV1HV
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	2.5 kV
Collector current	28 A
Рассеиваемая мощность	310 W
Корпус	TO268HV
Pulsed collector current	80 A
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	56nC
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 2.5kV; 28A; 310W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.