IXYS

Транзистор IXYT120N65A5HV

Фото уточняется

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 120A
Power dissipation: 830W
Корпус: TO268HV
Gate-emitter voltage: ±20V

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	IXYT120N65A5HV
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	650V
Collector current	120A
Power dissipation	830W
Корпус	TO268HV
Gate-emitter voltage	±20V
Pulsed collector current	790A
Монтаж	SMD — поверхностный
Kind of package	tube

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 120A; 830W; TO268HV

Документация

Документы пока не предоставлены.