Антава

IXYS

Транзистор IXYR100N120C3

IXYR100N120C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
56 A
Рассеиваемая мощность
484 W
Корпус
PLUS247™
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYR100N120C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current56 A
Рассеиваемая мощность484 W
КорпусPLUS247™
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current450 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260nC
Kind of packagetube
Turn-on time143ns
Turn-off time271ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 56A; 484W; PLUS247™

Документация

Документ производителя