Антава

IXYS

Транзистор IXYP8N90C3D1

IXYP8N90C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
8 A
Power dissipation
125 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 105 шт.

Цена и наличие обновляются Данные на

Последняя цена / шт. · с НДС 22%725,61 ₽

Сумма · с НДС 22%725,61 ₽

Проверяем актуальные условия

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1725,61 ₽
от 3653,42 ₽
от 10577,44 ₽
от 50518,56 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяIXYP8N90C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage900 V
Collector current8 A
Power dissipation125 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current48 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge13.3nC
Kind of packagetube
Turn-on time39ns
Turn-off time238ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 8A; 125W; TO220-3

Документация

Документ производителя