Антава

IXYS

Транзистор IXYP30N65C3

IXYP30N65C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
30 A
Power dissipation
270 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYP30N65C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current30 A
Power dissipation270 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current118 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge44nC
Kind of packagetube
Turn-on time59ns
Turn-off time0.12µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO220-3

Документация

Документ производителя