Антава

IXYS

Транзистор IXYP15N65C3D1M

IXYP15N65C3D1M
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
9 A
Power dissipation
57 W
Корпус
TO220FP
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYP15N65C3D1M
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current9 A
Power dissipation57 W
КорпусTO220FP
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time122ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 9A; 57W; TO220FP

Документация

Документ производителя