Антава

IXYS

Транзистор IXYP15N65C3D1

IXYP15N65C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
15 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
TO220-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYP15N65C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current15 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO220-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current80 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge19nC
Kind of packagetube
Turn-on time36ns
Turn-off time102ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO220-3

Документация

Документ производителя