Антава

IXYS

Транзистор IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1
Type of semiconductor module
IGBT
Semiconductor structure
single transistor
Max. off-state voltage
1.2 kV
Collector current
66 A
Корпус
SOT227B
Electrical mounting
screw
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYN82N120C3H1
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Semiconductor structuresingle transistor
Max. off-state voltage1.2 kV
Collector current66 A
КорпусSOT227B
Electrical mountingscrew
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current320 A
Рассеиваемая мощность500 W
ТехнологияGenX3™, XPT™
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 66A; SOT227B

Документация

Документ производителя