Антава

IXYS

Транзистор IXYN110N120B4H1

Type of semiconductor module
IGBT
Collector current
110 A
Корпус
SOT227B
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Рассеиваемая мощность
830 W
Технология
GenX4™
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYN110N120B4H1
ПроизводительIXYS
Type of semiconductor moduleIGBT
Collector current110 A
КорпусSOT227B
Collector-emitter voltage1.2 kV
Рассеиваемая мощность830 W
ТехнологияGenX4™
Kind of packagetube
Mechanical mountingscrew
Исходное описание поставщика

Module: IGBT; Ic: 110A; SOT227B; 830W; GenX4™; tube; screw

Документация

Документы пока не предоставлены.