Антава

IXYS

Транзистор IXYK85N120C4H1

Type of transistor
IGBT
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
85 A
Рассеиваемая мощность
1.15 kW
Корпус
TO264
Gate-emitter voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYK85N120C4H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current85 A
Рассеиваемая мощность1.15 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current420 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge192nC
Kind of packagetube
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 1.2kV; 85A; 1.15kW; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.