IXYS

Транзистор IXYK180N65A5

TO264Изображение корпуса

Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650 V
Collector current: 180 A
Рассеиваемая мощность: 1.15 kW
Корпус: TO264
Gate-emitter voltage: ±20 V

Цены и наличие Все характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие

Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену +7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителя	IXYK180N65A5
Производитель	IXYS
Type of transistor	IGBT
Collector-emitter voltage	650 V
Collector current	180 A
Рассеиваемая мощность	1.15 kW
Корпус	TO264
Gate-emitter voltage	±20 V
Pulsed collector current	1kA
Монтаж	THT — в отверстия
Kind of package	tube
Turn-off time	0.5µs

Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; 650V; 180A; 1.15kW; TO264

Документация

Документы пока не предоставлены.