Антава

IXYS

Транзистор IXYK100N120C3

IXYK100N120C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
100 A
Power dissipation
1.15 kW
Корпус
TO264
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYK100N120C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current100 A
Power dissipation1.15 kW
КорпусTO264
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current490 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge260C
Kind of packagetube
Turn-on time143ns
Turn-off time271ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 100A; 1.15kW; TO264

Документация

Документ производителя