Антава

IXYS

Транзистор IXYJ20N120C3D1

Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
21 A
Рассеиваемая мощность
105 W
Корпус
TO247
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYJ20N120C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current21 A
Рассеиваемая мощность105 W
КорпусTO247
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current40 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge53nC
Kind of packagetube
Turn-on time20ns
Turn-off time90ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 21A; 105W; TO247

Документация

Документы пока не предоставлены.