Антава

IXYS

Транзистор IXYH80N90C3

IXYH80N90C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
80 A
Power dissipation
830 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH80N90C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage900 V
Collector current80 A
Power dissipation830 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current360 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge145nC
Kind of packagetube
Turn-on time134ns
Turn-off time201ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 80A; 830W; TO247-3

Документация

Документ производителя