Антава

IXYS

Транзистор IXYH75N65C3H1

IXYH75N65C3H1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
75 A
Power dissipation
750 W
Корпус
TO247-3

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Характеристики

Артикул производителяIXYH75N65C3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current75 A
Power dissipation750 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current360 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge123nC
Kind of packagetube
Turn-on time90ns
Turn-off time179ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 75A; 750W; TO247-3

Документация

Документ производителя