Антава

IXYS

Транзистор IXYH75N120B4

Type of transistor
IGBT
Технология
GenX4™, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
75 A
Рассеиваемая мощность
1.15 kW
Корпус
TO247, TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH75N120B4
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX4™, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current75 A
Рассеиваемая мощность1.15 kW
КорпусTO247, TO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current150 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge157nC
Kind of packagetube
Turn-on time24ns
Turn-off time235ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX4™; 1.2kV; 75A; 1.15kW; TO247,TO247-3

Документация

Документы пока не предоставлены.