Антава

IXYS

Транзистор IXYH50N120C3

IXYH50N120C3
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
50 A
Power dissipation
750 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH50N120C3
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current50 A
Power dissipation750 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current240 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge142nC
Kind of packagetube
Turn-on time96ns
Turn-off time0.22µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 50A; 750W; TO247-3

Документация

Документ производителя