Антава

IXYS

Транзистор IXYH40N65B3D1

IXYH40N65B3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
650 V
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
300 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH40N65B3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage650 V
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность300 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current195 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge68nC
Kind of packagetube
Turn-on time57ns
Turn-off time350ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 40A; 300W; TO247-3

Документация

Документ производителя