Антава

IXYS

Транзистор IXYH40N120C3D1

IXYH40N120C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
40 A
Рассеиваемая мощность
480 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH40N120C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current40 A
Рассеиваемая мощность480 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current160 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge80nC
Kind of packagetube
Turn-on time95ns
Turn-off time303ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3

Документация

Документ производителя