Антава

IXYS

Транзистор IXYH30N65C3H1

IXYH30N65C3H1
Type of transistor
IGBT
Technology
GenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage
650V
Collector current
30A
Power dissipation
270W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяIXYH30N65C3H1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
TechnologyGenX3™, Planar, Sonic FRD™, XPT™
Collector-emitter voltage650V
Collector current30A
Power dissipation270W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20V
Pulsed collector current118A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge44nC
Kind of packagetube
Turn-on time59ns
Turn-off time0.12µs
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 30A; 270W; TO247-3

Документация

Документ производителя