Антава

IXYS

Транзистор IXYH30N120C3D1

IXYH30N120C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
1.2 kV
Collector current
30 A
Power dissipation
416 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH30N120C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage1.2 kV
Collector current30 A
Power dissipation416 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current133 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge69nC
Kind of packagetube
Turn-on time71ns
Turn-off time296ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 1.2kV; 30A; 416W; TO247-3

Документация

Документ производителя