Антава

IXYS

Транзистор IXYH25N250CHV

IXYH25N250CHV
Type of transistor
IGBT
Технология
XPT™
Collector-emitter voltage
2.5 kV
Collector current
25 A
Рассеиваемая мощность
937 W
Корпус
TO247HV
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH25N250CHV
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияXPT™
Collector-emitter voltage2.5 kV
Collector current25 A
Рассеиваемая мощность937 W
КорпусTO247HV
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current235 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge147nC
Kind of packagetube
Turn-on time51ns
Turn-off time525ns
Features of semiconductor deviceshigh voltage
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; XPT™; 2.5kV; 25A; 937W; TO247HV

Документация

Документ производителя