Антава

IXYS

Транзистор IXYH24N90C3D1

IXYH24N90C3D1
Type of transistor
IGBT
Технология
GenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage
900 V
Collector current
24 A
Рассеиваемая мощность
200 W
Корпус
TO247-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяIXYH24N90C3D1
ПроизводительIXYS
Type of transistorIGBT
ТехнологияGenX3™, Planar, XPT™
Collector-emitter voltage900 V
Collector current24 A
Рассеиваемая мощность200 W
КорпусTO247-3
Gate-emitter voltage±20 V
Pulsed collector current105 A
МонтажTHT — в отверстия
Gate charge40nC
Kind of packagetube
Turn-on time60ns
Turn-off time215ns
Исходное описание поставщика

Transistor: IGBT; GenX3™; 900V; 24A; 200W; TO247-3

Документация

Документ производителя